IXTH280N055T
IXTQ280N055T
280
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
240
200
9V
8V
300
250
9V
8V
7V
7V
160
200
120
80
40
0
6V
5V
150
100
50
0
6V
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
280
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 140A Value
vs. Junction Temperature
240
200
160
120
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
I D = 280A
I D = 140A
1.2
80
40
0
5V
1.0
0.8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 140A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
80
External Lead Current Limit
2.0
T J = 175oC
70
1.8
60
1.6
1.4
V GS = 10V
15V - - - -
50
40
30
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
IXTH28N50Q MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
IXTH2R4N120P MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
IXTH30N25 MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
IXTH30N50P MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
IXTH30N50 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
IXTH360N055T2 MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
IXTH36P10 MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
IXTH3N100P MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
相关代理商/技术参数
IXTH28N50Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 500 V 0.20 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH2N170D2 功能描述:MOSFET N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH2R4N120P 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH300N04T2 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH30N25 功能描述:MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH30N45 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247AD
IXTH30N50 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube